单片机解密3.3kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD）扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围

牵引功率单元（TPU）、单片机解密辅助动力装置（APU）、固态变压器（SST）、工业电机驱动和能源基础设施解决方案的系统设计人员需要借助高压开关技术来提高效率和可靠性，并减小系统尺寸和重量。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布扩大其碳化硅产品组合，推出业界导通电阻【RDS(on)】最低的3.3 kV碳化硅MOSFET和额定电流最高的碳化硅SBD，让设计人员可以充分利用其耐用性、可靠性和性能。Microchip扩大的碳化硅产品组合为电气化交通、可再生能源、航空航天和工业应用的设计人员开发更小、更轻和更高效的解决方案提供了便利。

许多基于硅的设计在提高效率、单片机解密降低系统成本和应用创新方面已经达到极限。虽然高压碳化硅为实现这些目标提供了一种有效的替代方案，但到目前为止，3.3 kV碳化硅功率器件的市场供应仍然有限。Microchip已能提供700V、1200V和1700V裸片、分立器件、模块和数字栅极驱动器等碳化硅解决方案， 3.3 kV MOSFET和SBD的加入使这一系列解决方案更加丰富。