据韩媒Business Korea报道，基于GAAFET改进工艺，三星电子已经完成3nm制程的研发工作。

此前，我们在文章美国正制定规则，拟限制对中国出口GAAFET技术！中介绍了3nm时代具有代表性的GAAFET工艺。

2017年，IBM利用GAAFET实现了5nm芯片制程。在2018年5月，三星宣布将利用改良自GAAFET的专利结构MBCFET，实现5nm、4nm及3nm制造工艺，而这一步终于在2020年1月3日得以实现，这意味着三星将在代工领域继续保持对台积电的攻势。

根据三星此前发布的工艺路线图，将使用极紫外（EUV）曝光技术制造4个7nm至4nm的FinFET工艺，然后使用EUV制造3nm GAA和MBCFET。同7nm FinFET相比，使用GAA及衍生结构的芯片面积最高减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

这项技术成果的落地对三星具有里程碑意义，为此，1月2日三星电子副董事长李在镕专程访问了京畿道的三星半导体研究中心。而台积电目前正处于3nm制程试产阶段，岛内负责3nm量产的厂房已经于2019年顺利通过环评。