升压 PFC拓扑

芯片解密连续导通模式升压PFC 是一种简单、低成本的解决方案。升压拓扑由输入EMI 滤波器、桥式整流器、升压电感、升压场效应管和升压二极管组成，如图3 所示。

定频平均模式控制器可用于实现高功率因数和低总谐波失真（THD），并调节输出电压。推荐使用安森美NCP1654和 NCP1655CCM PFC 控制器。对于大功率应用，可以使用交错式PFC控制器，如FAN9672和FAN9673。升压二极管(D1) 推荐使用650V EliteSiC 二极管。EliteSiC MOSFET 可用于高频和大功率应用，如2 kW 至6.6 kW。带有iGaN（集成栅极驱动器）的图腾柱PFC 控制器IC（如NCP1681）可用于600 W 至1.0 kW 的应用。硅超级结MOSFET 和IGBT可用于 20 kHz 至 60 kHz 的低频应用。

芯片解密在大功率应用中，输入电桥损耗明显更高。用Si 或SiC MOSFET 等有源开关取代二极管，可以降低功率损耗。半无桥PFC 和图腾柱PFC 拓扑非常流行，它们可以省去桥式整流器，从而减少损耗。

图腾柱PFC

图腾柱PFC 由EMI 滤波器、升压电感、高频半桥、低频半桥、2通道栅极驱动器和定频图腾柱PFC 控制器NCP1681B组成，如图 4所示。

图腾柱 芯片解密PFC的高频支路要求功率开关中集成的二极管具有低反向恢复时间。SiC和 GaN功率开关适用于图腾柱PFC 的高频支路。安森美建议在600 W 至1.2 kW 应用中使用带集成栅极驱动器的iGaN，在1.5 kW 至6.6 kW 应用中使用SiC MOSFET。集成SiC 二极管的IGBT 可用于20 - 40 kHz 的应用。低频支路可使用低RDS(on) 硅超级结MOSFET 或低VCE(SAT) IGBT。交错式图腾柱PFC 可用于4.0 kW 至6.6 kW 应用。

基于MOSFET的图腾柱PFC级通过去除笨重且损耗大的桥式整流器，提高了效率和功率密度。安森美的650V EliteSiC MOSFET非常适合图腾柱PFC的高频支路。安森美650V EliteSiC MOSFET如NTH4L045N065SC1和NTH4L032N065M3S适合3.0kW的应用；NTH4L015N065SC1和即将上市的NTH4L012N065M3S适合6.6kW的应用。NTHL017N60S5H则适用于图腾柱PFC的低频支路。