通信半导体领域创新企业HieFo宣布，公司推出多款全新高效连续波（CW）分布反馈（DFB）磷化铟（InP）激光器，旨在满足硅光子技术光收发模块日益提升的性能需求。

该系列产品凭借专利设计，IC解密为AI、数据通信、电信及传感领域提供了突破性的解决方案。

此次推出的无温控O波段CW激光器系列支持CWDM4波长方案，IC解密在-5°C至75°C的宽温范围内仍能保持最低70mW的光输出功率。这一卓越表现得益于其创新的无铝主动量子阱设计，为非气密封环境下的光收发模块设定了新的可靠性和性能标准。

在HCL30系列CW DFB激光芯片的基础上，HieFo通过最新研发的12项专利技术实现了性能的再次突破。其1毫米腔长激光芯片具备多项领先特性：

• 典型输出功率超过200mW

• 谱线宽度控制在300kHz以内

• 宽功率范围内光电转换效率（WPE）高于30%

HieFo还提供定制化O波段波长版本，IC解密可满足从数据中心到无源光网络（PON）架构等多种相干应用场景的需求。这种灵活性使其产品能够适应不同应用场景的特定要求。

HieFo董事长兼联合创始人Harry Moore表示："我们最新推出的产品专门针对行业领先硅光子设计的严苛性能要求而开发。HieFo始终致力于研发和生产业内最高效、最可靠的InP芯片，这一系列产品的推出再次印证了我们的技术承诺。"

业内人士指出，随着硅光子技术在数据中心和通信领域的广泛应用，高性能激光器作为关键组件的重要性日益凸显。

HieFo此次推出的创新产品有望为下一代光通信系统提供更高效、更可靠的解决方案，推动行业技术发展。