嵌入式系统的硬件除了核心的微处理器之外就是外围器件和接口。接口技术在嵌入式系统设计中处于非常重要的位置，是嵌入式系统设计师的考量重点。目前嵌入式系统中的接口技术种类繁多，如何把握好每种接口技术的概念和特点，理解透每个接口的基本工作原理？本文将进行一个总结概括。

在介绍接口技术之前，先来了解一下嵌入式系统的基本知识。

什么是嵌入式系统？

以应用为中心，以计算机技术为基础，IC解密软硬件可裁剪，适应应用系统对功能、可靠性、成本、体积、功耗严格要求的专用计算机系统。

嵌入式系统的组成？

嵌入式系统包含：硬件层、中间层、系统软件层和应用软件层。

1.硬件层：嵌入式微处理器、存储器、通用设备接口和I/O接口。嵌入式核心模块＝微处理器＋电源电路＋时钟电路＋存储器。

Cache：位于主存和嵌入式微处理器内核之间，存放的是最近一段时间微处理器使用最多的程序代码和数据。它的主要目标是减小存储器给微处理器内核造成的存储器访问瓶颈，使处理速度更快。

2.中间层（也称为硬件抽象层HAL或者板级支持包BSP）。它将系统上层软件和底层硬件分离开来，使系统上层软件开发人员无需关系底层硬件的具体情况，根据BSP层提供的接口开发即可。

3.系统软件层：由RTOS、文件系统、GUI、网络系统及通用组件模块组成。RTOS是嵌入式应用软件的基础和开发平台。

4.应用软件：由基于实时系统开发的应用程序组成。

嵌入式系统常用的接口技术汇总：

1、RAM存储器

RAM存储器主要分为一下4种：

（1）SRAM存储器：

SRAM表示静态随机存取存储器，只要供电它就会保持一个值，它没有刷新周期，由触发器构成基本单元，集成度低，每个SRAM存储单元由6个晶体管组成，因此其成本较高。它具有较高速率，常用于高速缓冲存储器。

通常SRAM有4种引脚：

CE：片选信号，低电平有效。

R/W：读写控制信号。

ADDRESS：一组地址线。

DATA：用于数据传输的一组双向信号线。

（2）DRAM存储器：

DRAM表示动态随机存取存储器。这是一种以电荷形式进行存储的半导体存储器。它的每个存储单元由一个晶体管和一个电容器组成，数据存储在电容器中。电容器会由于漏电而导致电荷丢失，因而DRAM器件是不稳定的。它必须有规律地进行刷新，从而将数据保存在存储器中。

DRAM的接口比较复杂，通常有一下引脚：

CE：片选信号，低电平有效。

R/W：读写控制信号。

RAS：行地址选通信号，通常接地址的高位部分。

CAS：列地址选通信号，通常接地址的低位部分。

ADDRESS：一组地址线。

DATA：用于数据传输的一组双向信号线。

（3）SDRAM存储器：

SDRAM表示同步动态随机存取存储器。IC解密同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储器阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失。它通常只能在133MHz的主频工作。

（4）DDRAM存储器：

DDRAM表示双倍速率同步动态随机存取存储器，也叫做DDR。DDR是基于SDRAM技术的，SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。在133MHz的主频下，DDR的内存带宽可以达到133×64b/8×2＝2.1GB/s。

此外，还有硬盘、光盘、CF卡、SD卡等存储器形式。

2. Flash存储器

Flash存储器是一种非易失性存储器，根据结构的不同可以将其分为NOR Flash和NAND Flash两种。

NOR Flash的特点：

应用程序可以直接在闪存内运行，不需要再把代码读到系统RAM中运行。NOR Flash的传输效率很高，在1MB~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

NAND Flash的特点：

能够提高极高的密度单元，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，这也是为何所有的U盘都使用NAND Flash作为存储介质的原因。应用NAND Flash的困难在于闪存需要特殊的系统接口。

NOR Flash与NAND Flash的区别：

A、NOR Flash的读速度比NAND Flash稍快一些。

B、NAND Flash的擦除和写入速度比NOR Flash快很多。

C、NAND Flash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读取。

D、NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引进来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash的地址、数据和命令共用8位总线（有写公司的产品使用16位），每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存取数据。

E、NOR Flash的容量一般较小，通常在1MB~8MB之间；NAND Flash只用在8MB以上的产品中。因此，NOR Flash只要应用在代码存储介质中，NAND Flash适用于资料存储。

F、NAND Flash中每个块的最大擦写次数是一百万次，IC解密而NOR Flash是十万次。

G、NOR Flash可以像其他内存那样连接，非常直接地使用，并可以在上面直接运行代码；NAND Flash需要特殊的I/O接口，在使用的时候，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND Flash上自始至终必须进行虚拟映像。

H、NOR Flash用于对数据可靠性要求较高的代码存储、通信产品、网络处理等领域，被成为代码闪存；NAND Flash则用于对存储容量要求较高的MP3、存储卡、U盘等领域，被成为数据闪存。

Flash存储器的特点：

A、区块结构：在物理上分成若干个区块，区块之间相互独立。

B、先擦后写：Flash的写操作只能将数据位从1写成0，不能从0写成1，所以在对存储器进行写入之前必须先执行擦除操作，将预写入的数据位初始化为1。擦除操作的最小单位是一个区块，而不是单个字节。

C、操作指令：执行写操作，它必须输入一串特殊指令（NOR Flash）或者完成一段时序（NAND Flash）才能将数据写入。

D、位反转：由于Flash的固有特性，在读写过程中偶尔会产生一位或几位的数据错误。位反转无法避免，只能通过其他手段对结果进行事后处理。

E、坏块：区块一旦损坏，将无法进行修复。对已损坏的区块操作其结果不可预测。