芯片解密该器件集成的交叉传导保护逻辑可防止高压侧和低压侧输出同时开启，同时通过高集成简化了电路设计。IXD2012NTR采用紧凑型SOIC(N)-8封装，工作温度范围在-40℃~+125℃，即使在恶劣工况条件下也能提供可靠的性能。

主要功能和特点

· 高速开关性能：驱动两个采用半桥配置的N沟道MOSFET或IGBT;

· 宽工作电压范围：10V~20V，适合各种电源管理应用;

· 高压侧开关能力：在自举配置下，最高工作电压可达200V;

· 兼容性和灵活性：逻辑输入兼容低至3.3V的TTL和CMOS电平，便于与控制器连接;

· 输出电流驱动能力：1.9A拉电流输出和2.3A灌电流输出，可提供稳定的栅极驱动电流。

· 提高效率和集成度：集成的交叉传导保护可降低功率损耗并简化设计;

· 行业标准引脚排列：确保现有设计的直接替换能力。

Littelfuse半导体业务部集成电路事业部产品经理June Zhang表示：“IXD2012NTR可直接替代常用的行业标准栅极驱动设备，我们产品组合中的这一新增成员为客户提供了可靠的替代电源，以满足苛刻的生产计划，同时提供卓越的高速性能。”。

适用于多样化的市场和应用

IXD2012NTR通过提供新的200V器件，芯片解密增强了Littelfuse高压侧和低压侧栅极驱动器产品组合，支持各种高频应用，包括：

· 直流-直流转换器;

· 交流-直流逆变器;

· 电机控制器;

· D类功率放大器。