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MOS/场效应管使用中常见损坏等问题芯片解密

造成损坏的原因可能有几个:

1.缺少保护电路.一般来说电路中应适当设置保护电路.以吸收电路中的瞬间高压.浪涌电压.保护关键元件.


2.参数选取不合理.芯片解密没有余地.效应管的耐压.电流都应该流有一定的余地.以保证正常使用.如果参数选取过于保守.基本相当于工作在超负荷下.时间长了则容易损坏.


3.元件没有经过认真筛选.老化.或者根本就没有选用高质量的元件.在使用当中损坏的几率当然很大.       


4.偶然的结果.主板本身有一定的损坏几率.


碰到类似问题的时候可以对物料进行一个检测:


问题1:如何用数字式万用表检测场效应管的好与坏?


问题2:如何用数字式万用表判断场效应管的D、S、G极?


问题3:芯片解密如何用数字式万用表判断场效应管的类型(是N沟道还是P沟道)?检测方式如下:


列:N沟道


1.芯片解密红表笔接第一个脚.黑表笔分别接其它两个脚.此时万用表上没有读数.也就是说没有反应.那么红表笔接的是G极.


2.红表笔接第2个脚黑表笔接第3个脚,有读数.也就是说是通的.红表笔不动.黑表笔接到G极(已经测出来了).然后黑表笔再接第三个脚.发现不通了.(这说明管子9.9成是好的).(第2个脚和第三个脚是通的是因为第一个步骤已经给它充电了.后来不通是因为红表笔接第2个脚黑表笔接第一个脚的时候已经给它放电了).

3.红表笔接第3个脚.黑表笔接第2个脚.有读数.那么此时红表笔接的是S极.黑表笔接的是D极.




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