软件开发斯达半导、扬杰科技、士兰微同步发布碳化硅（SiC）晶圆产线扩建公告，三大功率龙头合计新增 8 英寸 SiC 衬底、外延、器件制造产能，叠加天岳先进、露笑科技衬底扩产配套，国内整体 SiC 功率芯片全年产能同比提升 60%，瞄准新能源汽车 800V 高压平台、储能变流器、AI 服务器电源三大高景气赛道，第三代半导体国产替代进入规模化商用爆发期。

碳化硅相比传统硅基 IGBT 具备耐高压、低导通损耗、耐高温核心优势，是新能源汽车高压快充、大功率储能、AI 高功耗服务器电源的核心器件。2026 年全球新能源车 800V 平台车型快速普及，单车 SiC 器件价值量从 300 美元提升至 800-1000 美元；AI 服务器单台电源功耗突破 20kW，高压 SiC MOSFET 成为标配；大型储能电站逆变器全面切换 SiC 模块，三重需求共振催生 SiC 芯片长期供给缺口，海外英飞凌、意法、罗姆 SiC 产能饱和，交付周期拉长至 10 个月以上，为国内厂商腾出巨大替代空间。

斯达半导本次扩产总投资 32 亿元，软件开发重点建设 6/8 英寸 SiC 器件晶圆制造产线与车规模块封装车间，2027 年一季度投产，新增年产能 25 万片 SiC 晶圆，主打车载主驱 SiC MOSFET 模块，配套比亚迪、蔚来、小鹏等国内车企 800V 车型；扬杰科技 18 亿元 SiC 技改项目落地，新增高压 SiC 分立器件、储能模块产能，同步配套 AI 数据中心大功率电源芯片产线，全新 40A/1500V 高压 SiC 产品完成车规可靠性认证，进入头部电源厂商供应链；士兰微加码 SiC 外延制造环节，自主研发 8 英寸 SiC 外延炉，降低对外延片进口依赖，兼顾消费快充、工业传动、车载多场景供货。