IC解密长电科技正式公告总投资 102 亿元先进封装产业基地扩建项目，选址江苏江阴核心产业园，项目分两期建设，全部聚焦 Chiplet 小芯片、2.5D/3D IC、HBM 配套 FC-BGA 高端封装工艺，建成后新增年封装算力芯片产能 120 万片晶圆，专门匹配国内寒武纪、海光、沐曦等 AI 加速芯片厂商算力封装需求，打破日月光、安靠在高端先进封装领域长期垄断，补齐国产算力芯片产业链封装关键环节。

全球 AI 算力爆发带动先进封装需求指数级增长，传统引线框架封装已无法满足大尺寸、高带宽 AI 芯片互连需求，Chiplet 异构集成成为行业主流技术路线。单颗 AI 训练芯片由多颗计算裸片、存储裸片通过硅中介层互连，对封装精度、散热、互连带宽提出极高要求，海外封测龙头持续抬高报价、拉长交付周期，国内 AI 芯片企业面临封装产能卡脖子问题。长电本次百亿扩产项目核心工艺包含硅中介层 2.5D 封装、垂直堆叠 3D IC、高密度 FC-BGA、HBM 存储堆叠封装四大类，全部面向数据中心大算力芯片、车载高阶计算芯片、高端 GPU 三大高增长赛道。

一期项目总投资 68 亿元，IC解密计划 2027 年二季度建成投产，新增高密度 FC-BGA 产能，单颗封装芯片 I/O 互连引脚支持超 6000pin，满足云端训练 GPU 封装需求；二期 34 亿元规划 2027 年末开工，重点建设硅中介层生产线与 3D 堆叠产线，实现裸片垂直互连，适配下一代多芯粒 AI 芯片架构。项目同步配套国内自主封装设备产线，优先采购拓荆、北方华创、华峰测控国产封装、测试设备，成熟封装环节国产设备使用率目标突破 50%，降低整体封装生产成本。